逻辑非门

属性

合成方式
半导体x3<br>硅晶体x1<br>
导热率
7.32000017166138
最大承受压力
1120
比热容
450.0
氧气存量
300
热值
0.0
熔点
1357
物态
固体
粒子穿透率
0.9
质量
2.90000009536743

合成方式

半导体x3
硅晶体x1
非门可以将高电压信号(大于500V)转为低电压信号(300V),低电压信号(小于500V)转为高电压信号(1000V)

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