逻辑与门

属性

合成方式
半导体x3<br>硅晶体x1<br>
导热率
7.32000017166138
最大承受压力
1120
比热容
450.0
氧气存量
300
热值
0.0
熔点
1357
物态
固体
粒子穿透率
0.9
质量
2.90000009536743

合成方式

半导体x3
硅晶体x1

在不旋转方块的情况下,当与门的上端下端同时有高电压(大于500V)时,会在右边输出高电压(1000V)

Fy4f3T.png

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